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超越摩尔 华虹宏力为全球制造创“芯”_0

未知 2019-06-09 14:04

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华虹宏力战略、市场与发展部部长胡湘俊指出,“在华虹宏力的优势领域?——嵌入式非易失性存储器技术方面今年也有新的突破,90nm eFlash/eEEPROM技术已实现风险量产。

芯片制造的技术水平和发展规模现已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。我国的集成电路产业经过多年发展,已经形成设计、制造、封测三业并举的产业架构,并初具规模。据统计,2001~2015年之间,产业销售额增长超过19倍,由188亿元增长至约11024亿元,年均复合增长率达到16.8%,占全球市场份额近60%。制造业也在外资产能转移和内部增长带动下,生产规模逐步扩大,产值已占全行业1/3,12英寸生产线达到8条,其中内资控股5条,先进工艺实现28nm大规模量产。但整体与国外领先水平相比,制造业仍有较大差距,先进工艺约落后两代,生产规模不足国外领先企业的10%,关键产品如存储器、CPU等尚未具备大规模生产能力,特色制造工艺的积累也不足。

虽有不足,但是在移动互连、智能终端和物联网等新兴应用带来多重市场空间,以及政策大力支持下,晶圆制造业将面临巨大的发展机遇。“华虹宏力是全球领先的8英寸纯晶圆代工厂,按2015年销售收入总额计算,华虹宏力已然跃居全球第二大8英寸纯晶圆代工厂,目前的制造工艺平台覆盖1.0μm至90nm的工艺技术节点,且战略性地专注于0.13μm、0.11μm和90nm的技术节点。尤其是在嵌入式非易失性存储器以及功率器件的制造能力上具有显著优势。华虹宏力2015年智能卡芯片出货量达到26亿颗,其中SIM卡芯片占全球40%的市场份额,国内市占率更是高达50%以上。”华虹宏力战略、市场与发展部部长胡湘俊在接受本刊专访时指出,“在华虹宏力的优势领域?——嵌入式非易失性存储器技术方面今年也有新的突破,90nm eFlash/eEEPROM技术已实现风险量产。”

“华虹宏力致力于持续研发先进的差异化晶圆代工技术,并将多元化的解决方案广泛应用于不同行业领域,例如为新能源汽车、移动终端等热点应用提供高性能、低功耗、低成本的超级结MOSFET(SJNFET)和IGBT技术;为LED照明应用提供新一代低功耗、低成本的超高压700V BCD技术;用以支持MCU+RF设计的0.11μm超低漏电(ULL)嵌入式闪存平台,是应用于物联网MCU的最佳方案之一。华虹宏力将继续提高在不同技术层面的整合能力,尤其是对低功耗嵌入式闪存技术和低成本CMOS射频技术的整合。华虹宏力还将持续减小存储单元及IP模块的面积,进一步优化先进的差异化技术,为不同客户提供高效能、具成本效益的增值解决方案。”胡湘俊指出,“在‘超越摩尔时代’,华虹宏力专注在8英寸晶圆制造的差异化工艺研发及未来应用引领的双向驱动,包括各类智能设备,智能终端器件等,而工业控制和汽车电子将是未来发展的重点。华虹宏力的目标是高成长、高附加值的产品,我们将继续向着高增长机会的产品方向优化产品组合。” 他举例说,“重点的终端市场应用包括金融IC卡、安全芯片、微控制器、汽车电子、智能电网、LED照明、可穿戴设备,及物联网等等。”

此外随着用户对绿色、节能和效率需求的日益增加,出色的电源管理IC技术显得尤为重要。“为什么现在的充电器都比以前小?因为SJNFET(超级结MOSFET)取代以前传统的MOSFET,在同样功率的情况下,SJNFET的芯片面积更小。此外随着新能源汽车的大力推广,电动车电池管理和充电桩也需要更多高性能的SJNFET。华虹宏力SJNFET工艺平台的出货量与日俱增,累计超过160,000片晶圆,同时也是大陆唯一拥有全套IGBT背面制程技术的晶圆代工厂,可从低电压至高电压绿色能源应用提供完整解决方案,并根据客户不同的电力装置需求量身订制匹配的解决方案。今年计划推出第三代SJNFET,第三代超级结MOSFET有着明显优势,比如导通电阻小、尺寸小、从平面式工艺到垂直式的转变等,会使得超级结MOSFET越来越受欢迎。”胡湘俊强调,“在IGBT方面,华虹宏力新一代的600V~1200V 场截止型 IGBT已经量产,并将延伸到1700V,此外也正在加速研发超高压IGBT技术,以用于高端工业及能源应用。”

谈到物联网市场,随着移动互联网和无线通讯技术的蓬勃发展,射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用越来越多,胡湘俊认为该市场仍呈现碎片化现状,仍需若干年来发展。“智能、感知和数据传输是物联网应用的三大关键技术。在智能方面,MCU作为核心器件在市场规模还是技术上都将大力发展。”他指出,“在感知方面,华虹宏力CMOS+MEMS的单芯片工艺已成功流片的产品包括磁力计、加速度计、压力传感器等。在数据传输方面,美国客户主要采用的是Z-Wave标准,日本是ZigBee,而现在蓝牙开始推广MESH网络,各个地区呈现不同的需求。有些应用采用RFCOMS工艺就可满足需求,而有些则需要采用RFSOI工艺来实现,我们的0.2μm RFSOI工艺设计套件将有助于客户提高设计流程的效率及输出优质的射频组件,从而减少设计改版及缩短产品推出市场的时间。我们将积极推进射频SOI技术在国内市场的业务发展,帮助客户抢占先机。”

“目前华虹宏力在上海运营有三个晶圆厂,月产能总计约15万3千片,其8英寸晶圆制造能力在国内名列前茅。”胡湘俊表示,持续进行的产能扩充已显现成效,预期将在市场获得更多的发展机遇。据胡湘俊透露,2016年前三季度华虹宏力的产能利用率平均在97%左右。“各类物联网产品和应用不断推出,使得半导体市场特别是中国市场异常火爆,这其中很多应用都采用8英寸晶圆工艺,因此整体产能都吃紧,可以预见在未来较长一段时间8英寸晶圆仍有不断增长的市场空间。”

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